UCSB利用V型缺陷提升绿光LED效率

加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）研究人员通过V型缺陷与优化AlGaN盖层，将绿光III-N LED外量子效率峰值提升至44%，电光转换效率达37%。该器件在图形化蓝宝石衬底上经MOCVD生长，结合分布式布拉格反射镜（DBR）提高光提取率。团队计划进一步研究AlGaN盖层对横向载流子注入的影响，以提升长波长LED效率。