浙大团队《PRL》揭示空穴掺杂调控硅压力诱导相变新机制

浙江大学团队在《PRL》发表研究，首次实验证实高浓度空穴掺杂是硅压力诱导相变路径的关键调控因素。微米压痕结合微拉曼光谱测试显示，重硼掺杂硅非晶化概率约60%，轻硼掺杂仅约20%；B/P共掺补偿空穴后降至约33%和30%。该成果为晶圆切片、研磨、抛光等高压接触加载工业过程的加工损伤调控提供了新思路。