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IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|日本佐贺大学郭其新:基于同步辐射的稀土掺杂超宽禁带半导体发光特性表征
IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|日本佐贺大学郭其新:基于同步辐射的稀土掺杂超宽禁带半导体发光特性表征
导读
日本佐贺大学电气电子工程系教授郭其新将在11月16-19日于江苏苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表《基于同步辐射的稀土掺杂超宽禁带半导体发光特性表征》主题报告。其团队联合英国布里斯托大学等机构,在柔性衬底上实现铕掺杂氧化镓薄膜的高质量异质外延生长,制备出兼具应变可调发光特性与千次弯折循环稳定性的新型功能薄膜。
来源:第三代半导体产业网 · casmita.com
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