名古屋大学团队实现超低接触电阻的 p-GaN 欧姆接触工艺

名古屋大学联合多所高校，通过在 p-GaN 表面沉积亚 10nm 镁膜并经 600°C、5 分钟软退火及 HCl 清洗，实现了 1-3 x 10⁻⁴ Ω cm² 的超低比接触电阻。该低热预算工艺可避免干法刻蚀损伤，适用于 HBT、UV LED 和激光器等需要超薄 p-GaN 层的器件。 （注：摘要中“10⁻⁴”对应原文“10 -4”，因纯文本格式限制采用标准上标写法。）