Semiconductor Today·· 12 天前AI 评分22
AI 摘要
瑞萨电子推出首批100V E-mode GaN FET，扩展低压GaN产品组合
Renesas adds first 100V E-mode FETs to low-voltage GaN portfolio
导读
瑞萨电子推出首批100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管，将GaN产品组合扩展至低压应用。新器件包括RTP100E005G1FL等四款型号，RDS(on)范围为5–1.2mΩ，硬开关FOM降低达35%，软开关FOM降低达63%。
来源：Semiconductor Today · semiconductor-today.com
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