SK海力士推出用于AI计算的3D FeNAND技术

SK海力士10月14日披露基于铁电三维NAND（3D FeNAND）的模拟内存计算（A-CiM）研究成果，论文已发布于IEEE。该技术利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流，可在单个单元内产生多个电流状态，适配AI计算所需的权重数据。模拟显示，基于3D FeNAND的A-CiM实现比传统非易失性存储器高20倍的吞吐量和5000倍的能效。