长鑫科技披露4F²架构研发新进展，年底拟推新一代DDR5 RDIMM

长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，预计年底推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。4F²架构的核心是自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，采用垂直包围沟道结构，可提升栅控并助力面积微缩，同面积存储密度可提升30%至50%。