意大利技术研究院克服1550 nm下InAs胶体量子点LED的ITO光学损耗

意大利技术研究院Francesco Di Stasio、Hossein Roshan、Liberato Manna等人制造了工作在电信C波段（1530–1565 nm）的InAs/ZnSe量子点LED，通过锆掺杂氧化铟（InZrO）电极替代ITO提升性能。