镓驰动力完成氧化镓垂直MOSFET流片验证，导通电流突破1安

镓驰动力近日完成氧化镓（β‑Ga₂O₃）垂直MOSFET芯片第一阶段迭代流片验证，研制出全球首款导通电流超1安的增强型氧化镓垂直MOSFET器件。该器件实测导通电流1.2安、击穿电压超900伏、阈值电压3.9伏、比导通电阻33毫欧・平方厘米、漏电流控制在3微安以内。团队自研沟道自对准离子注入工艺填补了行业大功率器件工艺空白。