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热点事件持续更新AI 摘要

Guerrilla RF扩展GaN仿真模型并送样三款GaN-on-SiC器件

1 篇报道1 个报道来源18 小时前更新

先了解这件事

综述AI 摘要

Guerrilla RF 正在扩展其 GaN 器件的设计支持。2026年10月20日报道,其 GRF0005 和 GRF0012 GaN 功率晶体管的非线性仿真模型已上线 Modelithics COMPLETE Library,设计支持覆盖其 5W 至 150W 的 GaN 产品组合。两款器件分别为 5W 和 12W,工作频率 DC 至 12GHz,原生支持 40V 并兼容 28V 供电。此前报道称该公司已送样三款 GaN-on-SiC 器件。目前进展为仿真模型上线,覆盖其 GaN 产品组合的设计支持。

AI 根据报道生成 · 53 分钟前更新

报道时间线AI 摘要

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月20日
  1. Compound Semiconductor
    Guerrilla RF扩展GaN设计支持:GRF0005与GRF0012仿真模型上线Modelithics库

    Guerrilla RF的GRF0005和GRF0012 GaN功率晶体管非线性仿真模型已上线Modelithics COMPLETE Library,将设计支持覆盖其5W至150W的GaN产品组合。两款器件分别为5W和12W,工作频率DC至12GHz,原生支持40V并兼容28V供电。

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