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南航研制全集成单级高压电压基准芯片
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综述AI 摘要
2026年10月14日，第三代半导体产业网报道，南京航空航天大学集成电路学院研制出一款全集成单级高压电压基准芯片。该芯片基于180nm BCD工艺设计，包含支持12V与100V电源电压的两款芯片，可在高达100V电源电压下稳定工作，温度系数28.71 ppm/°C，线性灵敏度0.000006%/V，静态电流约185 nA，启动时间35 μs。报道称，南航在JSSC发表高性能电压基准芯片成果，首次以第一单位发表JSSC论文。
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最新进展10月14日 11:18
南航发布全集成单级高压电压基准芯片，首次以第一单位在JSSC发表论文。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- 第三代半导体产业网南航在JSSC发表高性能电压基准芯片成果，首次以第一单位发表JSSC论文
南京航空航天大学集成电路学院研制出一款全集成单级高压电压基准芯片，基于180nm BCD工艺设计支持12V与100V电源电压的两款芯片，可在高达100V电源电压下稳定工作，温度系数28.71 ppm/°C，线性灵敏度0.000006%/V，静态电流约185 nA，启动时间35 μs。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 10（10月14日 12:00）·近 24 小时可比范围变化 -50%
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