电子科技大学张健、李沫团队在InGaAs纳米空气沟道光电二极管辐照效应研究中取得进展

电子科技大学张健、李沫团队研究了InGaAs纳米空气沟道光电二极管的伽马与中子辐照效应，成果发表于Applied Physics Letters。在100 krad(Si)总剂量γ射线辐照后，器件暗电流仅增加约40%，光电流下降小于10%，放置2周后光电流因室温自退火恢复至辐照前水平；在1 MeV、5×10¹¹ n/cm²中子辐照后光暗电流均无显著变化。