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电子科大InGaAs纳米空气沟道光电探测器辐照效应研究
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综述AI 摘要
电子科技大学张健、李沫团队开展InGaAs纳米空气沟道光电二极管的伽马与中子辐照效应研究，成果发表于Applied Physics Letters。报道称，在100 krad(Si)总剂量γ射线辐照后，器件暗电流仅增加约40%，光电流下降小于10%，放置2周后光电流因室温自退火恢复至辐照前水平；在1 MeV、5×10¹¹ n/cm²中子辐照后，光暗电流均无显著变化。
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最新进展10月13日 10:24
该团队InGaAs纳米空气沟道光电二极管辐照效应研究成果发表。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月13日
- 第三代半导体产业网电子科技大学张健、李沫团队在InGaAs纳米空气沟道光电二极管辐照效应研究中取得进展
电子科技大学张健、李沫团队研究了InGaAs纳米空气沟道光电二极管的伽马与中子辐照效应，成果发表于Applied Physics Letters。在100 krad(Si)总剂量γ射线辐照后，器件暗电流仅增加约40%，光电流下降小于10%，放置2周后光电流因室温自退火恢复至辐照前水平；在1 MeV、5×10¹¹ n/cm²中子辐照后光暗电流均无显著变化。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 10（10月13日 12:00）·近 24 小时可比范围变化 -51%
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