IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻｜三重大学Hideto Miyake：在面对面退火AlN模板上使用薄p-GaN的深紫外LED

三重大学教授Hideto Miyake将在11月16-19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《在面对面退火AlN模板上使用薄p-GaN的深紫外LED》报告。其团队2016年提出的面对面高温退火技术，使溅射沉积AlN模板的穿线位错密度比蓝宝石基板传统MOVPE生长的AlN层低约一个数量级。报告将分享FFA Sp AlN模板晶体质量提升及UV-C LED性能的最新进展。