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三重大学将在IFWS&SSLCHINA 2026分享深紫外LED研究
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综述AI 摘要
2026年10月19日，第三代半导体产业网报道，三重大学教授Hideto Miyake将在11月16日至19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《在面对面退火AlN模板上使用薄p-GaN的深紫外LED》报告。报道称，其团队2016年提出的面对面高温退火技术，使溅射沉积AlN模板的穿线位错密度比蓝宝石基板传统MOVPE生长的AlN层低约一个数量级；报告将分享FFA Sp AlN模板晶体质量提升及UV-C LED性能的最新进展。目前事件进展为会议报告预告，尚无报告内容或会议实际举行的后续报道。
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最新进展10月19日 08:53
三重大学Hideto Miyake将于11月在苏州IFWS&SSLCHINA 2026作深紫外LED报告。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 第三代半导体产业网IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻｜三重大学Hideto Miyake：在面对面退火AlN模板上使用薄p-GaN的深紫外LED
三重大学教授Hideto Miyake将在11月16-19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《在面对面退火AlN模板上使用薄p-GaN的深紫外LED》报告。其团队2016年提出的面对面高温退火技术，使溅射沉积AlN模板的穿线位错密度比蓝宝石基板传统MOVPE生长的AlN层低约一个数量级。报告将分享FFA Sp AlN模板晶体质量提升及UV-C LED性能的最新进展。
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