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Compound Semiconductor·· 4 天前AI 评分40
AI 摘要

是德科技联合格拉斯哥大学、NPL与MPI实现InP HEMT近DC至250GHz单次扫频在片表征

Simplifying device testing from DC to 250GHz

导读

是德科技联合格拉斯哥大学、NPL与MPI,采用PNA-X矢量网络分析仪、Single-Sweep 250 GHz扩频模块和精密源表/测量单元,实现InP HEMT从近DC至250GHz的单次扫频连续在片表征,单次探针接触即可完成,无需多次更换测试配置。内置源滤波与宽带源功率校准保障了探针端mmWave信号的信号纯度。

来源:Compound Semiconductor · compoundsemiconductor.net

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