热点事件历史事件AI 摘要
是德科技等实现InP HEMT单次扫描250GHz表征
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先了解这件事
综述AI 摘要
2026年10月14日，是德科技联合格拉斯哥大学、英国国家物理实验室（NPL）及MPI，开发出针对下一代亚太赫兹半导体器件的宽带表征方法，可在单次扫描中完成InP HEMT从近DC到250 GHz的连续在片表征。同日后续报道进一步说明，该方案采用PNA-X矢量网络分析仪、Single-Sweep 250 GHz扩频模块和精密源表/测量单元，单次探针接触即可完成，无需多次更换测试配置，内置源滤波与宽带源功率校准保障了探针端mmWave信号的信号纯度。
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最新进展10月14日 08:00
同日报道披露该方案采用PNA-X、250GHz扩频模块与精密源表，单次探针接触即可完成。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- Compound Semiconductor是德科技联合格拉斯哥大学、NPL与MPI实现InP HEMT近DC至250GHz单次扫频在片表征
是德科技联合格拉斯哥大学、NPL与MPI，采用PNA-X矢量网络分析仪、Single-Sweep 250 GHz扩频模块和精密源表/测量单元，实现InP HEMT从近DC至250GHz的单次扫频连续在片表征，单次探针接触即可完成，无需多次更换测试配置。内置源滤波与宽带源功率校准保障了探针端mmWave信号的信号纯度。
- Compound Semiconductor是德科技联合格拉斯哥大学、NPL 与 MPI 推出 InP HEMT 单次扫描在片表征方法
是德科技与格拉斯哥大学、英国国家物理实验室（NPL）及 MPI 合作，开发出针对下一代亚太赫兹半导体器件的宽带表征方法，可在单次扫描中完成 InP HEMT 从近 DC 到 250 GHz 的连续在片表征。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 6（10月15日 05:00）·近 24 小时可比范围变化 -49%
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