Compound Semiconductor·· 4 天前AI 评分55
AI 摘要
是德科技联合格拉斯哥大学、NPL 与 MPI 推出 InP HEMT 单次扫描在片表征方法
Simplifying next-gen semiconductor device test
导读
是德科技与格拉斯哥大学、英国国家物理实验室（NPL）及 MPI 合作，开发出针对下一代亚太赫兹半导体器件的宽带表征方法，可在单次扫描中完成 InP HEMT 从近 DC 到 250 GHz 的连续在片表征。
来源：Compound Semiconductor · compoundsemiconductor.net
中文标题、摘要由 AI 生成，以原文为准 · 使用规则