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Compound Semiconductor·· 12 小时前AI 评分22
AI 摘要

EPC2361 GaN FET助力ADI 4kW升降压参考设计,效率达98.8%

PC GaN FETs enable 4 kW buck-boost reference design

导读

EPC2361 100V eGaN FET被用于ADI的EVAL-LT7930-AZ升降压转换器参考设计,该平台支持36V至65V输入、48V输出,输出功率达4kW,36V和48V输入下典型效率98.5%,65V下达98.8%。EPC2361为100V、133A增强型GaN晶体管,典型导通电阻0.75mΩ,封装尺寸3mm×5mm。

来源:Compound Semiconductor · compoundsemiconductor.net

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