热点事件持续更新AI 摘要

EPC GaN FET用于ADI 4kW升降压参考设计

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综述AI 摘要

2026年10月20日，Compound Semiconductor报道，EPC的EPC2361 100V增强型GaN FET被用于ADI的EVAL-LT7930-AZ升降压转换器参考设计。该平台支持36V至65V输入、48V输出，输出功率达4kW；36V和48V输入下典型效率为98.5%，65V输入下达98.8%。EPC2361为100V、133A增强型GaN晶体管，典型导通电阻0.75mΩ，封装尺寸3mm×5mm。这是该事件目前唯一的报道，尚无后续进展。

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最新进展10月20日 08:00

EPC2361 GaN FET被用于ADI 4kW升降压参考设计，65V输入下效率达98.8%。

报道时间线AI 摘要

沿着报道，了解事件的不同侧面。

10月20日

08:00
Compound Semiconductor
EPC2361 GaN FET助力ADI 4kW升降压参考设计，效率达98.8%
EPC2361 100V eGaN FET被用于ADI的EVAL-LT7930-AZ升降压转换器参考设计，该平台支持36V至65V输入、48V输出，输出功率达4kW，36V和48V输入下典型效率98.5%，65V下达98.8%。EPC2361为100V、133A增强型GaN晶体管，典型导通电阻0.75mΩ，封装尺寸3mm×5mm。

本事件热度走势

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。