Microchip推出耐辐射GaN负载点转换器POL-05-20S-T，输出电流达20A

Microchip推出耐辐射负载点转换器POL-05-20S-T，采用GaN功率器件，输出电流达20A，封装为25g表面贴装、尺寸1.51"×1.51"×0.45"。该器件输入范围4.75−13.2V、输出可调0.7−5V，总电离剂量50krad，SEE耐受LET达43MeV·cm²/mg，工作温度−55°C至+100°C，面向FPGA、ASIC等核心电压轨，现已量产供货。