热点事件观察中AI 摘要

Microchip推出耐辐射GaN负载点转换器

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先了解这件事

综述AI 摘要

2026年10月15日，Semiconductor Today报道，Microchip推出耐辐射负载点转换器POL-05-20S-T，采用GaN功率器件，输出电流达20A。该器件封装为25g表面贴装，尺寸1.51"×1.51"×0.45"，输入范围4.75−13.2V，输出可调0.7−5V，总电离剂量50krad，SEE耐受LET达43MeV·cm²/mg，工作温度−55°C至+100°C，面向FPGA、ASIC等核心电压轨，现已量产供货。

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最新进展10月15日 16:15

Microchip推出耐辐射GaN负载点转换器POL-05-20S-T，输出20A，已量产供货。

报道时间线AI 摘要

沿着报道，了解事件的不同侧面。

10月15日

16:15
Semiconductor Today
Microchip推出耐辐射GaN负载点转换器POL-05-20S-T，输出电流达20A
Microchip推出耐辐射负载点转换器POL-05-20S-T，采用GaN功率器件，输出电流达20A，封装为25g表面贴装、尺寸1.51"×1.51"×0.45"。该器件输入范围4.75−13.2V、输出可调0.7−5V，总电离剂量50krad，SEE耐受LET达43MeV·cm²/mg，工作温度−55°C至+100°C，面向FPGA、ASIC等核心电压轨，现已量产供货。

本事件热度走势

当前热度 3·可比范围峰值 10（10月15日 18:00）·近 24 小时可比范围变化 -50%

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。