IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|东京大学Hiroshi Fujioka：脉冲溅射生长氮化物半导体的特性

东京大学教授Hiroshi Fujioka将在11月16-19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表《脉冲溅射生长氮化物半导体的特性》主题报告。其团队率先突破传统磁控溅射生长氮化物薄膜结晶质量差、缺陷密度高的瓶颈，脉冲溅射技术已在小尺寸柔性氮化物LED上实现原理性验证，未来有望拓展至大尺寸深紫外器件与低成本功率器件。