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东京大学Fujioka将在IFWS&SSLCHINA 2026作脉冲溅射氮化物报告
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综述AI 摘要
2026年10月19日，第三代半导体产业网报道，东京大学教授Hiroshi Fujioka将在11月16日至19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表《脉冲溅射生长氮化物半导体的特性》主题报告。报道称，其团队率先突破传统磁控溅射生长氮化物薄膜结晶质量差、缺陷密度高的瓶颈；脉冲溅射技术已在小尺寸柔性氮化物LED上实现原理性验证，未来有望拓展至大尺寸深紫外器件与低成本功率器件。目前进展为会议报告信息已公布，尚未见报告实际发表或技术进一步验证的后续报道。
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最新进展10月19日 08:57
东京大学Fujioka将于11月在苏州IFWS&SSLCHINA 2026报告脉冲溅射氮化物半导体特性。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 第三代半导体产业网IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|东京大学Hiroshi Fujioka：脉冲溅射生长氮化物半导体的特性
东京大学教授Hiroshi Fujioka将在11月16-19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表《脉冲溅射生长氮化物半导体的特性》主题报告。其团队率先突破传统磁控溅射生长氮化物薄膜结晶质量差、缺陷密度高的瓶颈，脉冲溅射技术已在小尺寸柔性氮化物LED上实现原理性验证，未来有望拓展至大尺寸深紫外器件与低成本功率器件。
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