长晶科技第二代SGT MOSFET：30V-150V中低压功率器件进阶之选

长晶科技推出自主研发的第二代SGT MOSFET系列，电压覆盖30V至150V，核心参数对标国际主流供应商S5、S6、S7工艺平台并在多个电压段实现性能超越。该系列依托超小元胞尺寸与高深宽比刻蚀工艺降低单位面积导通电阻（RSP），同步提升UIS雪崩耐量与SOA安全工作区。