长晶科技发布第二代SGT MOSFET系列

2026年10月20日，长晶科技推出自主研发的第二代SGT MOSFET系列，电压覆盖30V至150V，定位中低压功率器件。据第三代半导体产业网报道，该系列核心参数对标国际主流供应商的S5、S6、S7工艺平台，并在多个电压段实现性能超越；产品依托超小元胞尺寸与高深宽比刻蚀工艺降低单位面积导通电阻（RSP），同时提升UIS雪崩耐量与SOA安全工作区。目前报道仅披露产品发布及参数定位，尚未提及量产、客户导入或供货时间等后续进展。

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