碳化硅晶圆激光剥离技术如何替代传统线切割

激光剥离技术通过内部改性与外力裂片实现碳化硅晶圆无损切割，将材料损耗从线切割的30%~50%大幅降低。国内已实现8英寸SiC晶圆自动化激光剥离，切割道宽度缩至20μm以内，晶粒良品率超98%，加工效率较传统工艺提升30%以上。德国Siltectra、日本Disco已将切片损耗控制在60μm以内并量产8英寸晶圆。