总投资约5.5亿元，高透明光学AR眼镜片项目落户浙江黄岩
上海梵创微科技与黄岩经济开发区签约，总投资约5.5亿元的高透明光学AR眼镜片项目落户黄岩经开区，由凡刻科技（台州）有限公司分两期推进。一期投资约1.5亿元，今年内开工，2027年建成科创中心及先导产线；二期投资约4亿元，建设约50亩生产基地，目标2028年实现年产100吨高纯碳化硅光学材料。项目以光学高透明材料结合光栅刻蚀工艺，主攻定制化AR眼镜片，面向AI眼镜、AR等智能终端。
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今日 0 条第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3939 Semiconductor Today精选AI 摘要AI 评分6262 英飞凌与 Wolfspeed 将长期 SiC 晶圆供应协议扩展至 200mm
英飞凌与 Wolfspeed 签署新的多年期协议，将现有的 SiC 衬底长期供应从 150mm 直径晶圆过渡到 200mm 直径晶圆，直接支持英飞凌向 200mm SiC 制造转换。
推荐理由：英飞凌与 Wolfspeed 将 SiC 衬底供应从 150mm 扩至 200mm，读者可据此了解功率半导体大厂向大尺寸衬底切换的供应链动作。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 英飞凌与Wolfspeed签署200 mm碳化硅晶圆多年期供货协议
英飞凌与Wolfspeed新签署一项200 mm碳化硅晶圆多年期供货协议，双方原有供货关系从150 mm衬底技术转向200 mm衬底技术。该协议将直接支持英飞凌向200 mm碳化硅制造转型，并增强供应链韧性。
推荐理由：协议把英飞凌与Wolfspeed的供货关系从150 mm切换到200 mm衬底，读者可据此观察碳化硅衬底尺寸迁移对单位成本和供应链布局的影响。
中国粉体网精选AI 摘要AI 评分6969 北京中电科碳化硅器件晶圆全自动减薄机量产交付
中国电科电子装备集团旗下北京中电科研发的国内首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机交付国内头部晶圆企业，实现量产落地。该设备采用三轴四工位整机架构，集成自动传输与清洗单元，实现干进干出全自动化加工，对8英寸碳化硅晶圆可稳定磨削至最低120微米，每小时产出不少于15片，磨削后晶圆内部厚度偏差控制在3微米以内。
推荐理由：国产碳化硅器件晶圆全自动减薄机首次量产交付，文中给出8英寸晶圆磨削至120微米、每小时不少于15片等量产指标，可供判断国产减薄装备的工艺水平。
全球半导体观察 · 材料/设备精选AI 摘要AI 评分7171 电科装备首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机量产交付
中电科电子装备集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机近期交付国内头部晶圆企业并实现量产应用，该公司由此形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的成套解决方案。设备采用三轴四工位整机结构，集成自动化传输与清洗单元，经量产实测8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米，单位小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内。
推荐理由：国产8英寸碳化硅晶圆全自动减薄机交付头部晶圆厂量产，给出了磨削厚度、产出与厚度偏差等实测数据，可据此判断国产减薄设备的工艺水平。
Compound Semiconductor精选AI 摘要AI 评分6262 英飞凌与 Wolfspeed 签署 200mm SiC 晶圆多年供应协议
英飞凌与 Wolfspeed 签署新的 200mm SiC 晶圆多年供应协议，将双方原有供应关系从 150mm 衬底技术转为 200mm。英飞凌 COO Alexander Gorski 表示，该协议拓宽了其 200mm 大规模制造的供应基础，并建立在两家公司 20 年供应关系之上。
推荐理由：英飞凌与 Wolfspeed 的 200mm SiC 衬底长约，把双方 20 年供应关系从 150mm 升级到 200mm，可据此观察大尺寸 SiC 衬底的供应格局。
Charged EVsAI 摘要AI 评分1212 网络研讨会：驱动下一代高压功率电子技术发展
汉高将于11月3日美国东部时间上午11点举办免费网络研讨会，探讨800V+架构、SiC/GaN MOSFET及x-in-1高集成功率转换系统对汽车电子设计带来的新挑战。Francesca Lai与Ann Park将分享元件设计演进、新兴应用需求，以及汉高在热管理、介电绝缘和PCB防护方面的粘合剂解决方案如何保障汽车功率电子元件的长期可靠性。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5858 英飞凌与Wolfspeed扩大并延长碳化硅晶圆供应协议，新增200mm供货
英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延长现有的长期碳化硅晶圆供应协议，在原有150mm供应基础上新增200mm碳化硅晶圆供货，双方供应合作关系已持续20多年。Wolfspeed首席执行官Robert Feurle表示，新增200mm晶圆供货是在既有合作基础上的进一步拓展，公司将继续支持英飞凌对碳化硅的长期需求。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 XMax 将收购 1200V 垂直 GaN 功率半导体开发商 Hexa Creation
美国 XMax Inc 已同意收购专注 1200V 垂直 GaN 功率半导体技术的 Hexa Creation Inc，借此切入面向 AI 数据中心供电的高压功率半导体领域。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3636 onsemi EliteSiC 混合功率模块技术用于阳光电源 PowerTitan 3.0 储能平台
onsemi 的 EliteSiC SiC 混合功率模块技术被阳光电源用于其 PowerTitan 3.0 储能平台，采用面向三电平逆变架构的高密度 PIM，逆变级效率较上代提升 0.4%，支持额定 450kW 功率变换单元、峰值效率超 99.3%。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2020 博思得PSG-HRS80碳化硅高压发生器行业首发，80kW大功率与高功率密度结合
博思得基于第三代碳化硅技术开发的PSG-HRS系列新成员PSG-HRS80紧凑型高压发生器行业首发，最大输出功率达80kW。该产品依托SiC功率器件高频、低损耗特性，相比传统MOSFET、IGBT方案整机功率密度大幅提升，并实现更紧凑、轻量的设计。PSG-HRS80面向DR、动态DR、数字胃肠等大功率医疗影像设备，提供超低纹波稳定高压输出。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及四代技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线。
推荐理由：长飞先进一次发布四代SiC MOSFET技术路线，给出各代Rsp、短路耐量与雪崩能量等实测数据，可对比其迭代节奏与中高压规格布局。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 电科装备首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机交付并量产应用
中电科电子装备集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机，近期交付国内头部晶圆企业并实现量产应用，形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的国产减薄成套解决方案。设备采用三轴四工位整机结构，集成自动化传输与清洗单元，实现干进干出的全自动加工流程。经量产实测，8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米，单位小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内。
推荐理由：国产全自动减薄机在8英寸碳化硅器件晶圆背面减薄环节实现量产应用，文中给出磨削厚度、产出与厚度偏差等实测数据，可供判断国产设备在该工序的成熟度。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6060 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线，覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。
推荐理由：长飞先进一次给出四代SiC MOSFET的Rsp、短路耐量与雪崩能量实测数据，可对照其从1200V到3300V的电压规格布局判断国产器件的技术位置。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分88 关于参与《功率半导体与具身智能应用场景白皮书》编撰的邀请函
《功率半导体与具身智能应用场景白皮书》现面向相关单位发出编撰参与邀请。该白皮书聚焦功率半导体与具身智能应用场景的结合，具体编撰方向、参与方式及时间安排需参见邀请函正文。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1515 第十二届亚太宽禁带半导体国际会议APWS 2026在西安闭幕
10月11日-15日，第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）在西安举办，由西安电子科技大学主办，时隔17年再次回到中国大陆落地。会议设置31场平行分会、6个全体大会报告、3个Short Course及169个特邀及口头报告，覆盖材料外延、器件工艺、封装测试、可靠性验证等全链条议题，并评选出5篇最佳poster和10个最佳报告人。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1111 59页PPT了解半导体碳化硅陶瓷零部件
中国粉体网发布一份59页PPT资料，主题为半导体碳化硅陶瓷零部件。该资料以PPT形式呈现，内容围绕半导体领域碳化硅陶瓷零部件展开。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 英飞凌Peter Friedrichs将出席IFWS&SSLCHINA 2026并做碳化硅与氮化镓大会报告
英飞凌Fellow、碳化硅创新及产业化负责人Peter Friedrichs将于11月16-19日在江苏苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上做开幕大会主题报告，题目为《碳化硅和氮化镓功率器件对电网转型、AI及物理AI应用供电与保护的影响》。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Power Integrations 与 Ideal Power 合作开发 800 VDC AI 数据中心固态断路器
Power Integrations 与 Ideal Power 将合作推出面向 800 VDC AI 数据中心的固态断路器（SSCB）方案，结合 Power Integrations 的 1700 V InnoMux-2 电源转换 IC 与 Ideal Power 的 B-TRAN 双向功率开关。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4040 安森美 EliteSiC SiC 混合功率模块用于阳光电源 PowerTitan 3.0 储能平台
阳光电源在 PowerTitan 3.0 储能平台中采用安森美最新 EliteSiC SiC 混合功率模块，新架构使逆变器级效率提升 0.4%，支持额定功率达 450 kW 的功率变换单元。安森美分析显示，在 100 MW 电池储能项目中，该 0.4% 的效率提升每年可节省超过 475 MWh 电量。双方在平台定义、系统优化与验证环节展开合作。
Charged EVsAI 摘要AI 评分4040 Skyworks Si829x 隔离栅极驱动器开始送样，面向电动汽车牵引逆变器
Skyworks 的 Si829x 隔离安全栅极驱动器已从开发阶段转入预生产，并开始向客户送样用于评估和高级原型验证，该器件已通过 AEC-Q100 车规认证。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3838 AVL 与 VisIC 将合作扩展至大功率 GaN 牵引逆变器技术
AVL 与 VisIC 将 VisIC 的 D3 GaN 功率模块技术集成进 AVL 车辆演示平台，用于在真实电驱动系统中评估大功率 GaN 牵引逆变器，项目还整合了 NXP 半导体技术。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2828 安森美EliteSiC碳化硅混合功率模块用于阳光电源PowerTitan 3.0储能平台
阳光电源在PowerTitan 3.0储能平台中采用安森美EliteSiC碳化硅混合功率模块，逆变器级效率较上一代提高0.4%，峰值效率超过99.3%，支持额定功率达450 kW的功率转换单元。安森美分析显示，100 MW电池储能设施采用该模块每年可节省超过475 MWh能源。阳光电源预计2026年在欧洲交付10 GWh的PowerTitan 3.0。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4040 安徽长飞先进半导体启动IPO筹备，系长飞光纤投资的碳化硅功率半导体企业
安徽长飞先进半导体股份有限公司近日召开IPO项目启动会，正式进入资本市场筹备阶段。该公司专注碳化硅（SiC）功率半导体研发制造，具备外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测全产业链能力，可提供工业级到车规级SiC SBD、MOSFET全系列产品。公司2023年获超38亿元A轮融资，今年2月完成超10亿元A+轮融资，目前在芜湖、武汉布局碳化硅生产基地，仍处于产能爬坡阶段。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 四象半导体零部件项目合肥Fab北区封顶，总投资7.5亿元
四象半导体位于合肥高新区的半导体部件总部生产基地项目Fab车间北区已封顶，南区屋面主体施工中，动力站及废水处理站已封顶。项目占地约40亩，总建筑面积约4.6万平方米，总投资7.5亿元，2025年12月开工，预计2026年底竣工投产，全面达产后年产硅电极、硅环、石英环等关键部件27.6万片。
推荐理由：项目给出总投资、占地、封顶节点与达产产能，可据此判断半导体刻蚀耗材国产替代产线的建设节奏与释放时点。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5252 天水秦州与江苏卓远半导体签约12英寸电子级晶棒及MPCVD金刚石材料生产线项目
10月12日，天水市秦州区人民政府与江苏卓远半导体有限公司签约12英寸电子级晶棒及MPCVD金刚石材料生产线项目。卓远半导体核心技术聚焦MPCVD金刚石技术与12英寸硅基晶圆方向，其自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破国外技术封锁，碳化硅衬底技术位居国内前列。秦州区表示该项目将助力当地打造电子信息产业集群。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5252 昕感科技合肥制造中心启动，覆盖功率半导体多领域应用
10月10日，昕感科技集团合肥制造中心启动仪式在合肥经济技术开发区举行，该中心位于大众安徽核心零部件产业园，产品覆盖新能源汽车、光储充、高压直流输电、AI数据中心等领域。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6060 昕感科技合肥制造中心启动运营，车规功率模块产线进入产能爬坡
10月10日，昕感科技集团合肥制造中心在合肥经济技术开发区启动运营，创始人王哲称从项目落地到首样产品下线用时不足一年。该中心产线已全线贯通并将进入产能爬坡阶段，产品面向新能源汽车、光储充、固态变压器、高压直流输电、AI数据中心、eVTOL等市场。仪式现场，安徽大学与合肥昕感为《功率半导体可靠性与创新技术联合实验室》揭牌；蔚来汽车高级副总裁曾澍湘表示，双方此前已共建车规功率半导体联合实验室。
推荐理由：合肥制造中心从落地到首样下线不足一年，并已与蔚来共建车规功率半导体联合实验室，可据此观察国产车规功率模块的产能爬坡节奏。
Charged EVsAI 摘要AI 评分88 现代开关器件栅极驱动的实用设计考量
针对Si-MOSFET、SiC-MOSFET与Si-IGBT的栅极驱动设计，文章指出Si-MOSFET完全开通/关断栅压为+10V/0V，SiC-MOSFET与Si-IGBT则需+15V开通并配合-3V至-8V负压可靠关断。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4040 AVL 与 VisIC 推出基于 GaN 的电动汽车牵引逆变器
AVL 与 VisIC 将 VisIC 的 D³GaN 功率模块技术集成至 AVL 车辆演示样车，形成 GaN 牵引逆变器，项目还整合了 NXP 半导体技术。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Navitas 与 NVIDIA 合作开发 800V 转 12V 的 24kW PDB
Navitas 宣布推出与 NVIDIA 合作开发的 24kW、800V 转 12V DC-DC 电源输送板（PDB），基于 GaNFast 技术，面向 NVIDIA MGX 生态和 AI 数据中心 800 VDC 供电架构。
中国粉体网AI 摘要AI 评分5252 江苏金湖与湖南益阳两地碳化硅零部件项目开工扩产
江苏金湖县经济开发区引进的高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目正式开工，由泰坦未来半导体（江苏）有限公司投资，盘活闲置地块67亩、改造厂房1.25万平方米、新建厂房5100平方米，全面投产后可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品，实现销售6亿元。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4040 晶能与Wolfspeed签署合作备忘录，新一代功率模块平台优先导入碳化硅裸芯片
晶能微电子与Wolfspeed在杭州签署合作备忘录，晶能新一代功率模块平台将优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片，率先应用于新能源车主逆变器等场景。Wolfspeed将依托200mm碳化硅产线为晶能提供裸芯片稳定供货，双方共同对接国内头部车企高压电动平台，力争获取车型design-win项目。
Charged EVs精选AI 摘要AI 评分6060 Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期贷款有条件承诺
Wolfspeed 获得美国国防部（DoW）最高 15 亿美元、30 年期融资的有条件承诺，用于支持其在美国本土开发和生产碳化硅（SiC）材料及宽禁带功率器件。
推荐理由：Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期贷款的有条件承诺，读者可了解其 SiC 与 GaN 产能本土化及股权认股权证安排。
粉体圈AI 摘要AI 评分4747 宁夏北伏科技大尺寸薄壁碳化硅管材量产取得突破
宁夏北伏科技承担的“大尺寸薄壁碳化硅管材制备关键技术研究与应用”项目突破长尺寸薄壁管成型、烧结变形与批量一致性等技术瓶颈，实现规模化稳定生产。公司已建成4条生产线、配套6台真空烧结炉，年产碳化硅管达30万米，可稳定生产长度大于3米的薄壁碳化硅管，产品供应国内高端换热装备和新能源窑炉市场并出口日本、韩国。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4848 长飞先进IPO项目正式启动，迈入资本市场筹备关键阶段
安徽长飞先进半导体股份有限公司IPO项目于10月10日启动，中信建投证券、锦天城律师事务所、天健会计师事务所分别担任保荐机构、法律顾问及审计机构。公司已形成芜湖、武汉两大生产基地，合计年产能达42万片碳化硅晶圆，可提供工业级到车规级SiC SBD、MOSFET全系列产品。武汉基地总投资200亿元，一期达产后可实现年产36万片晶圆及6100万个功率模块，首片6英寸碳化硅晶圆良率达97%。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 APWS 2026第十二届亚太宽禁带半导体国际会议西安启幕
10月12日，由西安电子科技大学主办的第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）在西安开幕，时隔17年再次回到中国大陆举办。会议为期五天，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体，设置近200个前沿主题报告，覆盖材料外延生长、器件物理机理、晶圆制造工艺、封装测试、车规级认证等全链条议题。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4747 长飞先进启动IPO筹备，芜湖武汉两地合计42万片/年SiC产能
安徽长飞先进半导体股份有限公司10月10日召开IPO项目启动会，正式进入资本市场筹备阶段。公司专注碳化硅功率半导体，芜湖、武汉基地合计具备42万片/年晶圆及外延产能，其中芜湖已具备年产6万片SiC MOSFET晶圆制造能力并满产，武汉规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆，仍处产能爬坡阶段。今年2月公司完成超10亿元A+轮融资，由江城基金、长江产业集团领投。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4545 田中贵金属联合CITC、TNO攻坚银铜Clip粘接浆料，瞄准下一代功率半导体封装
田中贵金属与荷兰CITC、TNO启动为期三年的联合研发项目，于2026年10月正式启动，聚焦银基、铜基芯片粘接与铜夹（Clip）粘接浆料技术。项目覆盖die attach与clip-bonding两大互连场景，重点评估连接层厚度控制、烧结层孔隙率调控、铜基浆料氧化抑制及热循环可靠性等维度。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3838 汉磊科技碳化硅业务迎V型反转，8英寸产线首批试产良率突破95%
汉磊科技在法人说明会上表示，碳化硅业务下半年有望迎来V型反转，营收增幅有望超过120%，第三季度投片量环比翻倍。其与世界先进合作的8英寸碳化硅产线首批试产良率突破95%，预计2026年底启动风险量产，已有5家客户计划第四季度至2027年第一季度完成产品设计导入。公司2026年上半年合并营收33.29亿元，同比增长25.07%，营业亏损同比收窄84.36%。