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AI 摘要

长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线

长飞先进高性能SiC MOSFET系列芯片正式发布

导读

10月15日,长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线,覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。

推荐理由AI 摘要

长飞先进一次给出四代SiC MOSFET的Rsp、短路耐量与雪崩能量实测数据,可对照其从1200V到3300V的电压规格布局判断国产器件的技术位置。

来源:艾邦半导体网 · ab-sm.com

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