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AI 摘要
长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线
长飞先进高性能SiC MOSFET系列芯片正式发布
导读
10月15日,长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线,覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。
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长飞先进一次给出四代SiC MOSFET的Rsp、短路耐量与雪崩能量实测数据,可对照其从1200V到3300V的电压规格布局判断国产器件的技术位置。
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