热点事件观察中AI 摘要
长飞先进发布SiC MOSFET系列芯片
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先了解这件事
综述AI 摘要
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线，覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。同日后续报道同样称，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线。
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最新进展10月15日 16:50
同日后续报道再次确认长飞先进发布SiC MOSFET系列芯片及技术路线。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月15日
- 艾邦半导体网精选长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线，覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 17（10月15日 18:00）·近 24 小时可比范围变化 -71%
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。