Charged EVs· Jeffrey Jenkins·· 5 天前AI 评分8
AI 摘要
现代开关器件栅极驱动的实用设计考量
Practical gate driver considerations for modern switches
导读
针对Si-MOSFET、SiC-MOSFET与Si-IGBT的栅极驱动设计，文章指出Si-MOSFET完全开通/关断栅压为+10V/0V，SiC-MOSFET与Si-IGBT则需+15V开通并配合-3V至-8V负压可靠关断。
来源：Charged EVs · chargedevs.com
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