碳化硅晶圆的6种超精密抛光工艺解析

单晶SiC晶圆的超精密抛光主要包括机械研磨、磁流变抛光、CMP、ECMP、光催化化学机械抛光和PAP等6种工艺。机械研磨采用4~8µm金刚石微粉粗磨、0~0.5µm精磨；CMP是目前应用较多的原子级表面加工方法；PAP结合等离子体化学反应与机械磨削，可实现无损伤平坦表面。