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第三代半导体产业网·· 4 天前AI 评分28
AI 摘要

极端电热耦合应力场景下氮化镓功率晶体管可靠性研究进展

导读

电子科技大学张波、周靖贵等系统梳理了GaN功率HEMT在浪涌电压、短路、浪涌电流及高温等极端电热耦合应力下的可靠性研究进展,涵盖动态导通电阻与阈值电压原位在线监测平台、逆压电效应与碰撞电离等退化失效机制,以及电场调控、电荷补偿等加固技术。

来源:第三代半导体产业网 · casmita.com

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