热点事件历史事件AI 摘要
GaN功率HEMT极端电热耦合应力可靠性研究进展
1 篇报道1 个报道来源4 天前更新
先了解这件事
综述AI 摘要
2026年10月14日，第三代半导体产业网报道，电子科技大学张波、周靖贵等系统梳理了氮化镓（GaN）功率HEMT在浪涌电压、短路、浪涌电流及高温等极端电热耦合应力下的可靠性研究进展。该梳理涵盖动态导通电阻与阈值电压原位在线监测平台、逆压电效应与碰撞电离等退化失效机制，以及电场调控、电荷补偿等加固技术。目前进展为相关研究综述已公开发表。
AI 根据报道生成 · 4 天前更新
最新进展10月14日 15:06
电子科技大学团队系统梳理GaN功率HEMT极端电热耦合应力可靠性研究进展。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- 第三代半导体产业网极端电热耦合应力场景下氮化镓功率晶体管可靠性研究进展
电子科技大学张波、周靖贵等系统梳理了GaN功率HEMT在浪涌电压、短路、浪涌电流及高温等极端电热耦合应力下的可靠性研究进展，涵盖动态导通电阻与阈值电压原位在线监测平台、逆压电效应与碰撞电离等退化失效机制，以及电场调控、电荷补偿等加固技术。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 10（10月14日 16:00）·近 24 小时可比范围变化 -50%
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。