东芝推出3300V SiC MOSFET模组

东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4，额定漏源电压为3300V、额定漏极电流（DC）为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。