科友半导体单面与双面抛光工艺对比：从效率、碎片率到损伤控制的工程逻辑

科友半导体对比了碳化硅衬底单面与双面抛光工艺：单面抛光表面粗糙度可控制在0.3 nm以内，但受蜡粘工装制约存在效率瓶颈与碎片风险；双面抛光一次装夹两面同步加工，5小时后碳面粗糙度达0.151 nm，但碳面去除率是硅面的3倍及以上。科友通过抛光液配比调整与上下盘转速差异化控制，推动碳面/硅面去除率向1:1收敛，并提出“双面粗抛+单面精抛”组合工艺，8英寸衬底TTV稳定控制在≤1 μm。