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IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|日本名城大学Motoaki Iwaya:AlGaN基UV-B激光二极管的最新进展和器件物理
IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|日本名城大学Motoaki Iwaya:AlGaN基UV-B激光二极管的最新进展和器件物理
导读
日本名城大学Motoaki Iwaya教授将于11月16-19日在江苏苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《AlGaN基UV-B激光二极管的最新进展和器件物理》主题报告。其团队利用在周期性排列的AlN纳米柱上横向过生长形成的高质量晶格弛豫AlGaN模板开发AlGaN UV-B LD,该团队是全球最早实现室温连续波电注入UV-B激光输出的团队之一。
来源:第三代半导体产业网 · casmita.com
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