热点事件持续更新AI 摘要
名城大学Iwaya将在IFWS 2026报告AlGaN基UV-B激光二极管进展
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综述AI 摘要
2026年10月19日，第三代半导体产业网报道，日本名城大学Motoaki Iwaya教授将于11月16日至19日在江苏苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《AlGaN基UV-B激光二极管的最新进展和器件物理》主题报告。报道称，其团队利用在周期性排列的AlN纳米柱上横向过生长形成的高质量晶格弛豫AlGaN模板开发AlGaN UV-B激光二极管，该团队是全球最早实现室温连续波电注入UV-B激光输出的团队之一。目前事件进展为报告预告阶段，会议尚未召开。
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最新进展10月19日 09:00
名城大学Iwaya将于11月在苏州IFWS 2026报告AlGaN基UV-B激光二极管进展。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 第三代半导体产业网IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻｜日本名城大学Motoaki Iwaya：AlGaN基UV-B激光二极管的最新进展和器件物理
日本名城大学Motoaki Iwaya教授将于11月16-19日在江苏苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《AlGaN基UV-B激光二极管的最新进展和器件物理》主题报告。其团队利用在周期性排列的AlN纳米柱上横向过生长形成的高质量晶格弛豫AlGaN模板开发AlGaN UV-B LD，该团队是全球最早实现室温连续波电注入UV-B激光输出的团队之一。
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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。