锡根大学提出180 nm CMOS工艺40 μm×40 μm紫外敏感SPAD像素，峰值PDP达29%

德国锡根大学提出一种采用180 nm CMOS工艺制造的40 μm×40 μm前照式紫外敏感SPAD像素，集成主动淬灭电路与13位数字计数器，在1.3 V过偏压下400 nm波长处峰值PDP达29%，DCR为69 cps/μm²。该像素通过钝化层开口与浅结结构增强紫外响应，填充因子为6%，光子探测率至少10 MHz。