热点事件持续更新AI 摘要
锡根大学提出硅基全集成紫外敏感SPAD像素
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综述AI 摘要
2026年10月21日，第三代半导体产业网报道，德国锡根大学提出一种采用180 nm CMOS工艺制造的40 μm×40 μm前照式紫外敏感SPAD像素，集成主动淬灭电路与13位数字计数器。报道称，该像素通过钝化层开口与浅结结构增强紫外响应，填充因子为6%，光子探测率至少10 MHz；在1.3 V过偏压下，400 nm波长处峰值PDP达29%，DCR为69 cps/μm²。目前该工作处于器件方案报道阶段，尚无后续产业化或应用进展披露。
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最新进展10月21日 09:22
锡根大学报道180 nm CMOS工艺40 μm×40 μm紫外敏感SPAD像素，400 nm处峰值PDP达29%。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- 第三代半导体产业网锡根大学提出180 nm CMOS工艺40 μm×40 μm紫外敏感SPAD像素，峰值PDP达29%
德国锡根大学提出一种采用180 nm CMOS工艺制造的40 μm×40 μm前照式紫外敏感SPAD像素，集成主动淬灭电路与13位数字计数器，在1.3 V过偏压下400 nm波长处峰值PDP达29%，DCR为69 cps/μm²。该像素通过钝化层开口与浅结结构增强紫外响应，填充因子为6%，光子探测率至少10 MHz。
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