华中科技大学等联合团队实现780 nm免刻蚀薄膜铌酸锂微腔，本征品质因子达6.6×10⁵

华中科技大学徐竞团队联合上海交通大学纪幸辰团队、南开大学文花顺团队，在薄膜铌酸锂表面构筑ARP-6200聚合物波导，无需直接刻蚀铌酸锂即实现780 nm布拉格光栅FP微腔，本征品质因子达6.6×10⁵，谐振峰线宽672 MHz。该方案在通信波段薄膜铌酸锂和氮化硅平台分别获得2.2×10⁶和1.9×10⁶的本征品质因子，成果发表于《Laser & Photonics Reviews》。