热点事件观察中AI 摘要
华科等团队实现780nm免刻蚀薄膜铌酸锂高Q微腔
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综述AI 摘要
华中科技大学徐竞团队联合上海交通大学纪幸辰团队、南开大学文花顺团队,在薄膜铌酸锂表面构筑ARP-6200聚合物波导,无需直接刻蚀铌酸锂,即实现780 nm布拉格光栅FP微腔,本征品质因子达6.6×10⁵,谐振峰线宽672 MHz。该方案在通信波段薄膜铌酸锂和氮化硅平台分别获得2.2×10⁶和1.9×10⁶的本征品质因子,成果发表于《Laser & Photonics Reviews》。
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最新进展10月16日 14:58
华科等团队以聚合物波导实现780nm免刻蚀薄膜铌酸锂微腔,本征品质因子6.6×10⁵。报道时间线AI 摘要
沿着报道,了解事件的不同侧面。
10月16日
- 第三代半导体产业网华中科技大学等联合团队实现780 nm免刻蚀薄膜铌酸锂微腔,本征品质因子达6.6×10⁵
华中科技大学徐竞团队联合上海交通大学纪幸辰团队、南开大学文花顺团队,在薄膜铌酸锂表面构筑ARP-6200聚合物波导,无需直接刻蚀铌酸锂即实现780 nm布拉格光栅FP微腔,本征品质因子达6.6×10⁵,谐振峰线宽672 MHz。该方案在通信波段薄膜铌酸锂和氮化硅平台分别获得2.2×10⁶和1.9×10⁶的本征品质因子,成果发表于《Laser & Photonics Reviews》。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 10(10月16日 16:00)·近 24 小时可比范围变化 -50%
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