Compound Semiconductor·· 13 天前AI 评分34
AI 摘要
薄 AlGaN 势垒大幅提升 GaN HEMT 短路可靠性
Revolutionising short-circuit reliability
导读
电子科技大学联合四川爱联科技、深圳平湖实验室通过引入 11 nm 厚 AlGaN 势垒，使 GaN HEMT 在 450 V 母线电压下耐受 12,000 次重复短路循环。
来源：Compound Semiconductor · compoundsemiconductor.net
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