碳化硅半导体依赖的“四高”碳基材料解析

PVT法制备SiC单晶依赖高纯碳化硅粉、高纯碳粉、高纯硬毡和高纯石墨四种关键材料。改进的自蔓延高温合成法在1400~2000℃下生产高纯SiC粉体，碳纤维硬毡中关键杂质元素含量需控制在10-6以下。国内烁科晶体、天科合达、赛迈科等企业已实现相关技术突破或量产。