热点事件持续更新AI 摘要

三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产HBM基底裸片

1 篇报道1 个报道来源7 小时前更新

先了解这件事

综述AI 摘要

2026年10月19日，据外媒报道，三星电子将采用台积电3纳米制程为英伟达下一代HBM制造基底裸片。报道称，英伟达要求三星、SK海力士和美光的基底裸片统一采用台积电3纳米工艺，核心裸片统一采用第六代DRAM工艺（1c）。三星此次调整仅针对英伟达定制化的HBM4E产品，标准HBM及面向其他客户的定制产品仍自主生产；三星还在评估，若需求超出台积电产能，由自有代工厂生产NVHBM基底裸片的可能。目前该消息仍为外媒报道，尚无三星、台积电或英伟达方面的正式确认。

AI 根据报道生成 · 3 小时前更新

最新进展10月19日 08:00

外媒称三星将用台积电3纳米为英伟达HBM4E生产基底裸片，标准产品仍自主生产。

报道时间线AI 摘要

沿着报道，了解事件的不同侧面。

10月19日

08:00
SEMI 中国·半导体
消息称三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产HBM基底裸片
据外媒报道，三星电子将采用台积电3纳米制程为英伟达下一代HBM制造基底裸片。英伟达要求三星、SK海力士和美光的基底裸片统一采用台积电3纳米工艺，核心裸片统一采用第六代DRAM工艺（1c）。三星此次调整仅针对英伟达定制化的HBM4E产品，标准HBM及面向其他客户的定制产品仍自主生产，并评估需求超出台积电产能时由自有代工厂生产NVHBM基底裸片的可能。

本事件热度走势

当前热度 8·可比范围峰值 9（10月19日 13:00）·近 24 小时可比范围变化 –

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。