消息称三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产HBM基底裸片

据外媒报道，三星电子将采用台积电3纳米制程为英伟达下一代HBM制造基底裸片。英伟达要求三星、SK海力士和美光的基底裸片统一采用台积电3纳米工艺，核心裸片统一采用第六代DRAM工艺（1c）。三星此次调整仅针对英伟达定制化的HBM4E产品，标准HBM及面向其他客户的定制产品仍自主生产，并评估需求超出台积电产能时由自有代工厂生产NVHBM基底裸片的可能。