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利普思扬州SiC模块基地封顶
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综述AI 摘要
2026年10月20日，利普思扬州车规级第三代功率半导体模块生产基地封顶。据2026年10月21日报道，项目总投资10亿元、一期投资2亿元，占地32亩，达产后预计年产能150万只SiC模块；首期新建3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线，将引进全自动贴片机、银烧结机、真空焊接炉等百余台设备，预计2027年4月完成通线。目前项目已封顶，后续将进入设备引进与产线建设阶段。
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最新进展10月21日 10:05
利普思扬州SiC模块基地10月20日封顶，一期投资2亿元，预计2027年4月通线。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- 第三代半导体产业网精选利普思扬州车规级SiC模块生产基地封顶，一期投资2亿元
利普思扬州车规级第三代功率半导体模块生产基地于10月20日封顶，项目总投资10亿元、一期投资2亿元，达产后预计年产能150万只SiC模块。基地占地32亩，首期新建3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线，将引进全自动贴片机、银烧结机、真空焊接炉等百余台设备，预计2027年4月完成通线。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月21日 11:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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