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AI 摘要

利普思扬州车规级SiC模块生产基地封顶,一期投资2亿元

第三代功率半导体模块项目总投资10亿元 利普思扬州生产基地封顶

导读

利普思扬州车规级第三代功率半导体模块生产基地于10月20日封顶,项目总投资10亿元、一期投资2亿元,达产后预计年产能150万只SiC模块。基地占地32亩,首期新建3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线,将引进全自动贴片机、银烧结机、真空焊接炉等百余台设备,预计2027年4月完成通线。

推荐理由AI 摘要

原文给出扬州基地一期投资额、150万只SiC模块年产能和2027年4月通线节点,可据此判断车规级SiC封装测试设备的采购节奏。

来源:第三代半导体产业网 · casmita.com

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