名古屋大学王嘉将分享超薄镁处理GaN接触与钝化技术

2026年10月19日，第三代半导体产业网报道，名古屋大学助理教授王嘉将于11月16日至19日在苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上报告超薄镁处理技术。报道称，该工艺可同时改善氮化镓（GaN）的接触特性与近表面电子性能，是一种无需外延再生、热预算较低的方法；它通过受控相互作用改变接触特性、缺陷介导传输和表面/界面电子特性，并避免显著的结构重建，从而为下一代GaN电子和光电子器件的p-GaN接触与表面质量提升提供多功能平台。目前该技术仍处于会议报告预告阶段，报道未提及具体实验数据或产业化进展。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。