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中微公司CCP刻蚀设备获2026工博会CIIF大奖

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综述AI 摘要

2026年10月13日,据第三代半导体产业网报道,中微公司携Primo UD-RIE®电容耦合等离子体(CCP)刻蚀设备亮相2026工博会国芯展,该设备同时获得CIIF大奖与国芯展创新成果奖。报道称,该设备为12英寸高端CCP刻蚀机,配备六个单反应台反应腔。

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报道时间线AI 摘要

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月13日
  1. 第三代半导体产业网
    中微公司亮相2026工博会国芯展 Primo UD-RIE®刻蚀设备斩获CIIF大奖

    中微公司Primo UD-RIE®电容耦合等离子体刻蚀设备在2026工博会国芯展上同时获得CIIF大奖与国芯展创新成果奖,该设备为12英寸高端CCP刻蚀机,配备六个单反应台反应腔。

本事件热度走势

当前热度 3·可比范围峰值 10(10月13日 18:00)·近 24 小时可比范围变化 -51%

02.557.51010月13日18:0010月14日09:0010月15日01:0010月15日16:00

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